Poche ore fa la conferma: Samsung ha dichiarato di aver iniziato il la produzione di chip sul nodo a 3 nm. Questa notizia era stata condivisa già da diversi rumors un po’ di giorni fa ma l’azienda ha deciso di confermarlo attraverso un post ufficiale sul proprio sito.
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Il processo produttivo a 3nm
Samsung ha annunciato l’inizio della produzione di chip sul nodo a 3nm, in cui il nodo implementa la nuova tecnologia GAA (Gate-All-Around) applicando il materiale isolante intorno ai quattro lati del transistor. Fenica molto differente rispetto al precedente FinFET in cui si posiziona solo su 3.
Questo quando affermato da Samsung:
“Il Multi-Bridge Channel FET (MBCFET), la tecnologia GAA di Samsung implementata per la prima volta in assoluto, sfida i limiti prestazionali del FinFET, migliorando l’efficienza energetica riducendo la tensione in entrata, migliorando allo stesso tempo le prestazioni incrementando la capacità di conduzione della corrente”.
Quali sono le caratteristiche del nuovo processo 3 nm GAA di prima generazione rispetto a quello a 5nm?
Ecco i punti fondamentali:
- accertare una riduzione dei consumi di energia fino al 45%
- migliorare le prestazioni del 23%
- ridurre l’area del chip del 16%
Il processo 3 nm di seconda generazione avrebbe addirittura la possibilità di migliorare ulteriormente questi già miglioramenti passando, quindi, alle stime: 50%, al 30% e al 35% .
Samsung non dichiara, però, chi sarà il primo ad avere questa nuova tecnologia. Ciò che sappiamo è che il nuovo processore servirà per situazioni con alte prestazioni e consumi ridotti e che l’azienda vorrebbe espandersi a processori mobile.
