Intel, all’apice della sua innovazione con la connettività Thunderbolt 5, ha recentemente annunciato una svolta significativa nel campo della tecnologia dei chip. L’azienda ha introdotto uno dei primi substrati in vetro per l’avanzato packaging dei chip delle prossime generazioni. Questa mossa è stata accolta con entusiasmo, poiché potrebbe superare i limiti attuali dei substrati organici, aprendo la strada a futuri progressi tecnologici.
Leggi anche:
- vivo T2 Pro 5G avvistato su Geekbench con un Dimensity 7200
- ASUS annuncia il proiettore LED portatile intelligente ZenBeam L2
- Redmi Note 13 Series: confermato il nuovo display 1.5K
- OnePlus Pad Go: In Arrivo Un Nuovo Tablet Economico
Intel Rivoluziona il Packaging dei Chip: Substrati in Vetro per il Futuro
Gli specialisti del settore hanno a lungo previsto che la miniaturizzazione dei transistor avrebbe presto raggiunto i suoi limiti. Con transistor che si avvicinano ai 2 nanometri, l’aumento del numero di transistor all’interno di un singolo package stava diventando una sfida. Questo è particolarmente critico considerando l’immensa richiesta di capacità di elaborazione per i datacenter e le applicazioni di intelligenza artificiale.
Per affrontare questa sfida, l’industria si è rivolta a chip monolitici sempre più grandi e all’uso di soluzioni chiplet con più chip interconnessi. Tuttavia, queste soluzioni richiedono tecnologie di packaging sempre più avanzate. Intel ritiene che l’utilizzo di substrati organici, come l’ampiamente utilizzato Build-up Film (ABF), raggiungerà presto limiti insormontabili.
I limiti dei substrati organici includono consumi energetici elevati, spessori inadeguati e una tendenza a deformarsi e variare dimensioni in risposta alle temperature. Questi problemi diventano critici quando si progettano chip più grandi e complessi. Intel, insieme ad altre aziende come Dai Nippon Printing (DNP), ha quindi investito nella ricerca e nello sviluppo di substrati in vetro.
I substrati in vetro offrono numerosi vantaggi, inclusa una maggiore capacità di integrazione di interconnessioni ottiche, fino a 10 volte superiore rispetto ai substrati organici. Sono anche più resistenti alle variazioni di temperatura. Queste caratteristiche permettono di incorporare induttori e condensatori direttamente nel substrato, semplificando il processo di produzione.
In sintesi, questa innovazione consentirà di gestire segnali ad alta velocità, di creare chip più sottili ma di dimensioni maggiori, e di migliorare le soluzioni di alimentazione. L’obiettivo finale è quello di mantenere il passo con la legge di Moore, che prevede di impacchettare 1000 miliardi di transistor in un unico package entro il 2030. Ciò garantirà che l’industria possa soddisfare la crescente domanda di potenza di calcolo per i datacenter e le future applicazioni di intelligenza artificiale.
